快科技7月8日讯息，浦项科技大学贪图团队近日秘书栽培出超薄半导体芯片稳妥堆叠时期。由机械工程系金锡老师、金宇铉博士生及韩国工业时期贪图院金浩铉博士共同完成。

该时期集成密度达到现存HBM的约4倍，为高性能AI半导体铺平说念路。

HBM决定AI半导体性能，其中枢在于多层存储芯片垂直堆叠。堆叠层数越多，性能越强，但芯片越薄越难处理。

厚度仅几十微米致使更薄的芯片极易辗转或断裂，传统工艺在此设施下失效。这一问题始终制约着HBM的层数冲破。

贪图团队将升沉印刷与及时键合两种时期整合为单一工艺平台。升沉印刷持重将芯片精确移至指定位置，及时键合在芯片升沉转眼同步完成金属连气儿。

芯片升沉、贴装与电气连气儿三说念工序合为一体。这一集成决策从压根上措置了超薄芯片的操作费事。

期骗该工艺，团队在低于180摄氏度、低于20千帕的谦敬条目下得胜堆叠厚度约14微米的超薄硅芯片10层以上。14微米约为头发丝的五分之一。

堆叠完成后层间对位差错极小，芯片翘曲被大幅禁锢。疏通封装高度内可容纳的芯片数目大幅加多。

该时期不仅适用于AI半导体，还可用于小芯片封装及微发光二极管透露器边界。贪图效果已发表在外洋学术期刊《Results in Engineering》集会版。

行业分析以为，从材料工艺到集成决策，这项冲破为后摩尔期间的芯片堆叠提供了全新时期旅途。